主要功能

● 150 MHz 帶寬

● 35 kV 共模電壓

● 適合碳化硅器件測(cè)量

● 卓越的噪聲和共模抑制能力

● 160 dB CMRR

● 低回路電感

● 低衰減

● 與傳統(tǒng)的高壓差分探頭相比，對(duì)被測(cè)電路的負(fù)載減少，脈沖響應(yīng)更好

● 探頭前端從 +/-1V 到 +/-40V 的多種型號(hào)可選

碳化硅適用

全新HVFO108具有150 MHz的帶寬，非常適合設(shè)計(jì)硅和碳化硅器件的設(shè)備研究工程師以及結(jié)合了碳化硅器件的系統(tǒng)開(kāi)發(fā)工程師。

上側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)測(cè)量

HVFO108真實(shí)地再現(xiàn)了上側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，而沒(méi)有負(fù)載和失真，從而可以清晰地看到米勒效應(yīng)。任何具有高尖端電容與CGE或CGS并聯(lián)，和/或與柵極驅(qū)動(dòng)阻抗串聯(lián)的高阻抗和大環(huán)路電感的常規(guī)HV差分探頭在最佳情況下將加載柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)或拾取干擾，并最嚴(yán)重地導(dǎo)致電路故障。HVFO108在這些測(cè)量中表現(xiàn)更好。

浮動(dòng)控制或傳感器信號(hào)測(cè)量

HVFO108僅測(cè)量其高阻抗輸入引線(xiàn)上的低壓傳感器電壓。被測(cè)設(shè)備（DUT）的總負(fù)載很小。此外，低引線(xiàn)環(huán)路電感，> 100dB CMRR和低衰減可提供出色的信號(hào)保真度，噪聲和抑制性能。

EMC，EFT，ESD和RF抗擾度測(cè)試和系統(tǒng)優(yōu)化

可以以高信號(hào)保真度采集高電壓或存在EMC干擾信號(hào)的交流和直流傳感器信號(hào)，并將其正確關(guān)聯(lián)到電路和控制活動(dòng)中。

光電隔離最佳

探頭尖端和示波器輸入之間的光學(xué)隔離減少了DUT的不利負(fù)載，提供了忠實(shí)的脈沖響應(yīng)，并增加了對(duì)測(cè)量的信心。可以確保抵御危險(xiǎn)的高壓電平的安全，并且可以避免示波器的不安全“浮動(dòng)”。

出色的噪聲和抑制

盡管電路中其他地方存在較高的dV / dt或dA / dt事件，但較高的CMRR（140 dB）仍可更精確地表示被測(cè)信號(hào)。測(cè)試引線(xiàn)經(jīng)過(guò)優(yōu)化，以限制環(huán)路電感和輻射拾取。尖端衰減針對(duì)各種信號(hào)幅度進(jìn)行了優(yōu)化。

對(duì)比